IPP65R190CFD

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

IPP65R190CFD datasheet

• Маркировка
  IPP65R190CFD
• Производитель
  Infineon Technologies
• Описание
  Infineon Technologies IPP65R190CFD Configuration: Single Continuous Drain Current: 17.5 A Drain-source Breakdown Voltage: 650 V Fall Time: 6.4 ns Gate Charge Qg: 68 nC Gate-source Breakdown Voltage: 30 V Mounting Style: Through Hole Package / Case: TO-220 Power Dissipation: 151 W Resistance Drain-source Rds (on): 0.19 Ohms Rise Time: 8.4 ns Transistor Polarity: N-Channel RoHS: yes Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V Gate-Source Breakdown Voltage: 30 V Resistance Drain-Source RDS (on): 0.19 Ohms Part # Aliases: IPP65R190CFDXK IPP65R190CFDXKSA1 SP000881160 Other Names: IPP65R190CFDXK
• Количество страниц
  20 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet IPP65R190CFD.pdf
Файл формата Pdf 3,54 MB